台积电A14（1.4纳米）制程据传将不采用高数值孔径极紫外光（High-NA EUV）微影工具，而是依赖较传统的0.33数值孔径EUV技术，优先考量成本效率而非性能。这代表就采用High-NA EUV而言，台积电如今落后英特尔等业者。
科技媒体wccftech报导，台积电资深副总裁张晓强日前在北美技术论坛上透露，台积电不会以High-NA EUV微影技术来将A14芯片图案化，但该公司就处理步骤而言能继续维持类似精密度。张晓强表示，台积电每一代技术都试图把光罩增加数量降至最低，这对提供具成本效益的解决方案而言至关重要。
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wccftech指出，相较于传统EUV工具，采用High-NA EUV可能导致台积电成本最多增加1.5倍，进而大幅推升A14制程生产成本。但这绝对不代表台积电未来制程不会采用High-NA EUV，该公司计划将High-NA EUV用于A14P制程。
由于英特尔预料最快明年推出的18A制程据传将采用High-NA EUV，台积电做出这项决定，导致该公司采用High-NA EUV的速度落后英特尔等业者。wccftech指出，从A14P目标是2029年推出来看，台积电采用High-NA EUV的时间将至少晚同业四年，竞争对手可能取得优势。
